3月4日，美國(guó)總統(tǒng)特朗普和臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家在白宮共同宣布，臺(tái)積電將對(duì)美國(guó)再投資至少1000億美元，用于興建3座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠等設(shè)施。

此前，臺(tái)積電已在進(jìn)行650億美元于亞利桑那州鳳凰城的先進(jìn)半導(dǎo)體制造的投資項(xiàng)目。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家表示：“回顧2020年，我們開始了在美國(guó)設(shè)立先進(jìn)芯片制造的旅程。AI正在重塑我們的日常生活，半導(dǎo)體技術(shù)是新功能和應(yīng)用的基石，隨著臺(tái)積電在亞利桑那州的第一座晶圓廠取得成功，以及必要的政府支持和強(qiáng)大的客戶合作伙伴關(guān)系，我們擬增加1000億美元投資于美國(guó)半導(dǎo)體制造，這讓我們的計(jì)劃投資總額達(dá)到1650億美元。”

回顧臺(tái)積電赴美設(shè)廠歷程，該公司于2020年5月宣布于亞利桑那州的第一筆投資（特朗普第一屆任期內(nèi)），彼時(shí)計(jì)劃投資額120億美元左右。之后在拜登政府的《芯片與科學(xué)法案》影響下，臺(tái)積電于2023年又宣布在美國(guó)建第二座晶圓廠，將整體對(duì)美投資規(guī)模提升至400億美元。

2024年4月，為獲得《芯片與科學(xué)法案》的補(bǔ)貼，臺(tái)積電擴(kuò)大在美投資，將在亞利桑那州增建第三座工廠。此外，臺(tái)積電在亞利桑那州第二廠將增加提供2納米制程芯片。

臺(tái)積電指出，亞利桑那州三座工廠總投資金額將達(dá)650億美元，估計(jì)將創(chuàng)造6000個(gè)直接工作機(jī)會(huì)，累計(jì)2萬人次建設(shè)工作機(jī)會(huì)，以及數(shù)以萬計(jì)的供應(yīng)鏈工作機(jī)會(huì)。

從建設(shè)進(jìn)程來看，這三座晶圓廠中的一期4nm晶圓廠，目前已開始量產(chǎn)；二期的3nm晶圓廠，原定于2026年開始量產(chǎn)，推遲至2028年。兩座晶圓廠完工后，合計(jì)將年產(chǎn)超過60萬片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)值預(yù)估超過400億美元。三期晶圓廠將生產(chǎn)2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代底（2029～2030年）間量產(chǎn)。

據(jù)了解，針對(duì)臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州投資晶圓廠，美國(guó)將依據(jù)芯片法案提供66億美元補(bǔ)助及50億美元貸款等。今年1月，臺(tái)積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭曾向外界確認(rèn)，臺(tái)積電已于2024年四季度獲得了美國(guó)政府首期15億美元的補(bǔ)貼款。

不過，隨著美國(guó)特朗普政府的上臺(tái)，其希望通過加征關(guān)稅來推動(dòng)外國(guó)半導(dǎo)體制造商加大對(duì)于美國(guó)本土的投資，提升美國(guó)本土的半導(dǎo)體制造能力。此前特朗普已透露，他可能會(huì)對(duì)外國(guó)生產(chǎn)的半導(dǎo)體征收約25%的關(guān)稅，并可能會(huì)最早于4月2日宣布這一消息。

業(yè)內(nèi)認(rèn)為，臺(tái)積電此舉將可避免未來芯片輸美被征收大幅關(guān)稅。除了臺(tái)積電，華碩及技嘉等服務(wù)器代工廠、硅晶圓大廠環(huán)球晶、電源供應(yīng)器大廠臺(tái)達(dá)電等，也正考慮擴(kuò)大在美生產(chǎn)布局。

回看本次臺(tái)積電新增的1000億美元在美投資，其中包含興建三座新晶圓廠、兩座先進(jìn)封裝設(shè)施，以及一間主要研發(fā)團(tuán)隊(duì)中心，該項(xiàng)目是美國(guó)史上規(guī)模最大的單項(xiàng)外國(guó)直接投資案（single foreign direct investment）。

據(jù)介紹，通過本次擴(kuò)大投資，臺(tái)積電預(yù)期為人工智能（AI）和其他前瞻應(yīng)用創(chuàng)造數(shù)千億美元的半導(dǎo)體價(jià)值。臺(tái)積電的這項(xiàng)擴(kuò)大投資也預(yù)計(jì)在未來四年為約40000個(gè)營(yíng)建工作機(jī)會(huì)提供支持，并在先進(jìn)芯片制造和研發(fā)領(lǐng)域創(chuàng)造數(shù)以萬計(jì)高薪且高科技的工作機(jī)會(huì)。預(yù)計(jì)在未來10年，這項(xiàng)投資還將推動(dòng)亞利桑那州和美國(guó)各地超過2000億美元的間接經(jīng)濟(jì)產(chǎn)出。此舉突顯了臺(tái)積電致力于支持客戶，包括蘋果（Apple）、英偉達(dá)（NVIDIA）、超微（AMD）、博通（Broadcom）和高通（Qualcomm）等美國(guó)領(lǐng)先的AI和科技創(chuàng)新公司。

在美國(guó)，臺(tái)積電除了在亞利桑那州鳳凰城設(shè)有最新制造據(jù)點(diǎn)，亦在華盛頓州卡默斯（Camas）設(shè)有一座晶圓廠，并于德克薩斯州奧斯?。ˋustin）和加州圣何塞（San Jose）設(shè)有設(shè)計(jì)服務(wù)中心。

對(duì)于臺(tái)積電本次投資，前外資知名分析師陸行之在社交媒體分析稱，臺(tái)積電宣布未來4年要再花1000億美元投資美國(guó)廠，應(yīng)該算是買到4年的免死金牌，加上之前的650億美元還沒花完的，每年至少投資超過300億美元在美國(guó)廠，如果臺(tái)積電資本開支維持在35%營(yíng)收的capital density（資本密度），美國(guó)廠資本開支應(yīng)該會(huì)超過中國(guó)臺(tái)灣廠資本開支，應(yīng)該考慮去亞利桑那州投資房地產(chǎn)，以后肯定出現(xiàn)一個(gè)美國(guó)版科學(xué)園區(qū)。

“分析師們可能要重新算一下未來4年臺(tái)積電的折舊、研發(fā)、管理費(fèi)用對(duì)毛利率及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率的影響。如果計(jì)劃順利執(zhí)行，加碼量產(chǎn)的數(shù)年后，長(zhǎng)期毛利率應(yīng)難以維持在先前目標(biāo)的53%以上?！标懶兄Q。

據(jù)證券時(shí)報(bào)記者了解，半導(dǎo)體行業(yè)正在迅速擴(kuò)張，各國(guó)/地區(qū)爭(zhēng)相建設(shè)新的晶圓廠，但建設(shè)成本存在顯著差異。專門從事高科技設(shè)施（如芯片生產(chǎn)工廠）的工程設(shè)計(jì)公司Exyte表示，在中國(guó)臺(tái)灣建設(shè)晶圓廠大約需要19個(gè)月，其次是新加坡和馬來西亞，需要23個(gè)月。歐洲項(xiàng)目需要34個(gè)月，而美國(guó)最慢，需要38個(gè)月。一個(gè)關(guān)鍵原因是中國(guó)臺(tái)灣的許可流程簡(jiǎn)化且施工全天候進(jìn)行，而美國(guó)和歐洲在審批上面臨延誤，且不進(jìn)行全天候施工。美國(guó)已通過一項(xiàng)法律，免除某些美國(guó)晶圓廠接受聯(lián)邦環(huán)境評(píng)估，但這顯然不足以與中國(guó)臺(tái)灣相媲美。

Exyte還指出，成本也差異巨大。盡管設(shè)備成本相似，但在美國(guó)建設(shè)工廠的成本大約是中國(guó)臺(tái)灣的兩倍。這種差異源于更高的勞動(dòng)力成本、廣泛的監(jiān)管要求以及供應(yīng)鏈的低效。Exyte高管Herbert Blaschitz表示，此外，中國(guó)臺(tái)灣的勞動(dòng)力經(jīng)驗(yàn)豐富，因此中國(guó)臺(tái)灣的建筑商需要更少的詳細(xì)藍(lán)圖，因?yàn)樗麄兪煜っ總€(gè)步驟，這加快了晶圓廠項(xiàng)目的完成速度。