【半導(dǎo)體新觀察】AI帶動(dòng)全球存儲(chǔ)銷售創(chuàng)新高 內(nèi)存與閃存兩極分化
來(lái)源:證券時(shí)報(bào)網(wǎng)作者:阮潤(rùn)生2025-02-21 15:31

在人工智能浪潮的推動(dòng)下,半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片銷售收入市場(chǎng)再創(chuàng)新高。CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示,2024年全球DRAM和NAND Flash銷售收入創(chuàng)下了1670億美元的歷史新高。而DRAM(內(nèi)存)和NAND Flash(閃存)走勢(shì)分化。A股存儲(chǔ)器指數(shù)連續(xù)3天上漲。截至記者發(fā)稿,2月21日,東芯股份上漲14.63%。深康佳A和德明利漲停,興森科技、兆易創(chuàng)新等漲幅超過(guò)。

存儲(chǔ)市場(chǎng)步入復(fù)蘇

CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)最新顯示,2024年全球DRAM和NAND Flash銷售收入創(chuàng)下了1670億美元的歷史新高。去年第四季度,全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)4.2%,達(dá)到467.55億美元。其中,DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)尤為突出,規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)13.5%至293.45億美元,而NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模則減少8.5%至174.1億美元。

放眼整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng),存儲(chǔ)品類增長(zhǎng)也尤為突出。

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint發(fā)布的半導(dǎo)體研究報(bào)告也進(jìn)一步證實(shí)了存儲(chǔ)市場(chǎng)的繁榮。報(bào)告預(yù)計(jì),全球半導(dǎo)體市場(chǎng)(包含存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè))2024全年?duì)I收將同比增長(zhǎng)19%,達(dá)到6210億美元。這標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷2023年的低迷后實(shí)現(xiàn)了強(qiáng)勁回升,而存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)更是一馬當(dāng)先,營(yíng)收預(yù)計(jì)同比大漲64%,主要得益于需求回暖及價(jià)格上漲。

美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)發(fā)布數(shù)據(jù)顯示,2024年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到6276億美元,同比2023年增長(zhǎng)了19.1%。其中,存儲(chǔ)器產(chǎn)品銷售額排名第二,2024年增長(zhǎng)了78.9%,達(dá)到1651億美元,子類別DRAM產(chǎn)品的銷售額更是增長(zhǎng)82.6%,成為2024年增長(zhǎng)百分比最大的產(chǎn)品類別。

SIA總裁兼首席執(zhí)行官約翰·紐弗(John Neuffer)表示,2024年,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)經(jīng)歷了有史以來(lái)銷售額最高的一年,年銷售額首次突破6000億美元,預(yù)計(jì)2025年將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的市場(chǎng)增長(zhǎng)。

AI強(qiáng)勢(shì)拉動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)

AI需求帶動(dòng)高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)蓬勃發(fā)展,有望進(jìn)一步支撐了整體存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)。

市場(chǎng)機(jī)構(gòu)Gartner副總裁Gaurav Gupta日前在“Semicon Korea2025”活動(dòng)上表示,今年HBM市場(chǎng)預(yù)計(jì)將比去年增長(zhǎng)66.9%。盡管與過(guò)去兩年AI市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)相比,需求增長(zhǎng)的速度預(yù)計(jì)會(huì)放緩,但供應(yīng)短缺預(yù)計(jì)將持續(xù)。他指出,HBM將推動(dòng)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng),特別是在DRAM領(lǐng)域。去年,HBM僅占DRAM出貨量的1.2%,但預(yù)計(jì)今年將上升到5%,到2028年,HBM預(yù)計(jì)將占DRAM市場(chǎng)總量的30.6%。隨著主要供應(yīng)商的技術(shù)成熟,他們可能會(huì)專注于提高產(chǎn)量,HBM的層數(shù)預(yù)計(jì)也將從8層增加到16層,未來(lái)可能達(dá)到20層。

隨著人工智能將向更高效部署方向落地,企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤市場(chǎng)有望拉動(dòng)。

TrendForce集邦咨詢指出,從AI訂單角度而言,NVIDIA(英偉達(dá))預(yù)計(jì)于下半年擴(kuò)大Blackwell系列產(chǎn)品的出貨,該系列產(chǎn)品理論上會(huì)大幅增加EnterpriseSSD的需求。同時(shí),開源大模型DeepSeek大模型大幅降低AIServer建置成本,中小企業(yè)將更有能力實(shí)現(xiàn)AI落地的策略,從而提升企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,有望推動(dòng)企業(yè)級(jí)和PC等SSD需求。

另外,由于DeepSeek大幅降低了算力需求,AI智能手機(jī)的功能搭載率也存在擴(kuò)大的可能,加上QLC(四層式儲(chǔ)存)技術(shù)逐步滲透手機(jī)使用,AI智能手機(jī)的儲(chǔ)存需求或許會(huì)因此有所增長(zhǎng)。不過(guò),這些因素能否切實(shí)轉(zhuǎn)化為市場(chǎng)需求的提升以及對(duì)市場(chǎng)供需結(jié)構(gòu)的改善程度仍存在不確定性。

閃存巨頭重啟減產(chǎn)

相比DRAM市場(chǎng),NAND Flash市場(chǎng)“預(yù)冷”。2022年、2023年,全球閃存為應(yīng)對(duì)供需失衡,曾陸續(xù)啟動(dòng)過(guò)減產(chǎn),而面臨今年閃存市場(chǎng)壓力,閃存巨頭再度啟動(dòng)減產(chǎn),有望助力后續(xù)價(jià)格反彈。

報(bào)道顯示,今年1月,三星電子決定大幅減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存生產(chǎn),晶圓投入量減少超過(guò)10%,每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。同時(shí),韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線也將調(diào)整供應(yīng),整體產(chǎn)能降低,合計(jì)NAND閃存芯片產(chǎn)能可能會(huì)減少20%左右。

SK海力士計(jì)劃將上半年NAND閃存的產(chǎn)量削減10%。其NAND閃存月產(chǎn)能為30萬(wàn)片晶圓,減產(chǎn)10%即每月減少3萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)出。

美光也著手減產(chǎn)。2025財(cái)年第一季度,美光DRAM業(yè)務(wù)環(huán)比增長(zhǎng)20%,而NAND業(yè)務(wù)卻下滑了5%,并預(yù)計(jì)第二季度NAND出貨量仍將環(huán)比下降,并且影響公司下一季度業(yè)績(jī)。美光執(zhí)行副總裁首席財(cái)務(wù)官M(fèi)arkMurphy表示,在NAND業(yè)務(wù)方面正在采取迅速而果斷的行動(dòng)來(lái)降低資本支出并削減晶圓產(chǎn)量。

鎧俠也在2024年12月實(shí)施減產(chǎn),預(yù)計(jì)將有望促使NAND Flash價(jià)格止跌甚至出現(xiàn)反轉(zhuǎn)。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,今年第一季NAND Flash市場(chǎng)持續(xù)面臨供過(guò)于求的挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)下滑,供應(yīng)商陷入虧損困境。自2023年起,各大NAND Flash原廠已深刻認(rèn)識(shí)到供給過(guò)剩對(duì)產(chǎn)業(yè)造成的嚴(yán)重沖擊,特別是NAND Flash需求年增率自30%大幅下修至10%—15%。預(yù)估NAND Flash市場(chǎng)供需結(jié)構(gòu)存在在下半年得到改善的可能性。

從需求端來(lái)看,多方面因素有可能推升NAND Flash需求,從而緩解供過(guò)于求的局面。自2024年第四季起,中國(guó)持續(xù)推出的以舊換新補(bǔ)貼政策有效地刺激了智能手機(jī)銷量,加速了NAND Flash庫(kù)存去化速度。智能手機(jī)品牌廠有機(jī)會(huì)在今年第二季擴(kuò)大建立低價(jià)庫(kù)存,從而帶動(dòng)一定的需求動(dòng)能。

責(zé)任編輯: 范璐媛
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