12月18日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下稱“英諾賽科”或“公司”，02577.HK）正式啟動公開招股，擬全球發(fā)售4536.4萬股H股，發(fā)售價最高將為每股發(fā)售股份33.66港元，預(yù)期H股將于12月30日上市。

業(yè)內(nèi)人士指出，作為氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，英諾賽科啟動招股是公司發(fā)展的重要里程碑，也是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個亮點。隨著公司在港交所主板的成功上市，有望進(jìn)一步提升其在全球氮化鎵市場的地位。

英諾賽科成立于2017年，總部位于廣東珠海，是一家專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品主要包括分立器件、集成電路、晶圓、模組等。截至2023年末，以折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中市場份額排名第一，市占率高達(dá)42.4%。

公司是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。與6英寸硅基氮化鎵晶圓相比，英諾賽科8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)技術(shù)能夠使每晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%，單顆芯片成本降低30%。

產(chǎn)品商業(yè)化后，英諾賽科的收入規(guī)模快速增長，2021—2023年，公司營業(yè)收入分別為6821.5萬元、1.36億元、5.93億元，復(fù)合年增長率高達(dá)194.8%。最新數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年公司營業(yè)收入同比增長25.2%至3.86億元。

作為IDM企業(yè)，英諾賽科實現(xiàn)從設(shè)計、制造到測試的整個過程自主控制，這種全產(chǎn)業(yè)鏈模式使得公司能夠更加靈活地應(yīng)對市場變化，快速推出符合市場需求的新產(chǎn)品。目前公司擁有蘇州和珠海兩個生產(chǎn)基地，截至2024年6月30日，以折算氮化鎵分立器件計，公司氮化鎵分立器件累計出貨量超過8.5億顆。

此外，公司還積極布局國際研發(fā)資源，在歐洲、北美及亞洲建立研發(fā)團(tuán)隊，專注于產(chǎn)品設(shè)計、研發(fā)及可靠性評估。通過與國際知名企業(yè)的深度合作，英諾賽科不斷拓展氮化鎵產(chǎn)品的應(yīng)用邊界，推出了一系列創(chuàng)新產(chǎn)品，如雙向氮化鎵芯片V-GaN系列等，為行業(yè)帶來了獨特價值。

此次赴港上市，是英諾賽科發(fā)展歷程中的又一重要里程碑。招股書顯示，英諾賽科擬全球發(fā)售4536.4萬股H股，其中香港發(fā)售占約10%，國際發(fā)售占約90%，另有約15%超額配股權(quán)。發(fā)售價最高將為每股發(fā)售股份33.66港元，預(yù)期H股將于12月30日上市。

通過此次上市，英諾賽科有望借助資本市場的力量，進(jìn)一步加速其全球擴(kuò)張計劃、技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)充。根據(jù)募資計劃，英諾賽科擬將60%的募資資金用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能，計劃從截至2024年6月30日的每月12500片晶圓增加至未來五年的每月70000片晶圓；另外20%的募資資金將用于研發(fā)和擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品組合，進(jìn)一步提高終端市場中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率。剩余資金則分別投入約10%用于擴(kuò)大全球分銷網(wǎng)絡(luò)、營運(yùn)資金等。

此次IPO招股英諾賽科引入了4名基石投資者，合共認(rèn)購1億美元的發(fā)售股份，其中意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）通過STHK認(rèn)購5000萬美元，江蘇國企混改基金認(rèn)購2500萬美元，東方創(chuàng)聯(lián)認(rèn)購1250萬美元，蘇州高端裝備認(rèn)購1250萬美元。

英諾賽科表示，憑借STHK在半導(dǎo)體行業(yè)的經(jīng)驗及市場地位以及江蘇國企混改基金、蘇州高端裝備及東方創(chuàng)聯(lián)的投資經(jīng)驗，基石配售將有助于提升公司的形象，并表明基石投資者對我們的業(yè)務(wù)及前景充滿信心。

隨著新能源汽車、風(fēng)電、光伏等產(chǎn)業(yè)的興起，為氮化鎵功率半導(dǎo)體的發(fā)展帶來了巨大的市場機(jī)遇。據(jù)弗若斯特沙利文的數(shù)據(jù)顯示，2023年氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開啟了指數(shù)級增長的元年，預(yù)計市場將迅速增長。到2028年，全球氮化鎵功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將達(dá)到人民幣501億元，占全球功率半導(dǎo)體市場的10.1%，并在功率半導(dǎo)體分立器件市場中占據(jù)24.9%的份額。

在政策端，國家高度重視第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，密集出臺多項政策鼓勵企業(yè)深度布局。2019年11月，工信部將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品寫入《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄》；2021年3月，“十四五”規(guī)劃中特別提出第三代半導(dǎo)體要取得發(fā)展；2021年8月，工信部將第三代半導(dǎo)體納入“十四五”產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新相關(guān)發(fā)展規(guī)劃。這一系列政策紅利為英諾賽科等第三代半導(dǎo)體企業(yè)營造了有利的成長環(huán)境。

在市場需求和政策扶持的雙重驅(qū)動下，英諾賽科等第三代半導(dǎo)體企業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。上市后，英諾賽科有望借助香港作為國際金融中心的優(yōu)勢，更好地對接國際資本，進(jìn)一步為后續(xù)的海外擴(kuò)張和國際合作打下堅實基礎(chǔ)。